〈 概要 〉
半導体のCMP（研磨）プロセスにおける静電相互作用は、研磨レートやウェーハ表面の欠陥やパーティクルの発生に影響を与える。そこでスラリーの分散性やウェーハ表面のゼータ電位を測定することで、その吸着性や洗浄性などの静電相互作用の評価法をご紹介します。
半導体プロセスにおけるウェーハの品質評価技術として、大塚電子が提供する膜厚や表面構造の評価例を紹介します。
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- ゼータ電位・粒子径・分子量測定システム ELSZneo
- 光波動場三次元顕微鏡 MINUK
- 顕微分光膜厚計 OPTM series
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〈 お申込み 〉
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- 開催時間：15:00～16:10
- 申込期間：～4月17日（水） 10:00 まで
- 開催方式：オンライン（Microsoft Teams）
- 参加費：無料
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