スパッタリング装置
VTR-151M/SRF
アルバック
RF電源を搭載した小型の高周波スパッタリング装置です。
金属、半導体、絶縁物の成膜が可能なため、基礎研究開発等の実験用に最適です。
特長
● 絶縁物・金属・半導体材料のスパッタ装置です。
● メインポンプにターボ分子ポンプを使用しています。
● 2インチ×3基のカソードで、3層までの多層成膜が可能です。
● マグネトロンスパッタで、スパッタ速度30nm/min（SiO₂）が得られます。
主な仕様
| 型式 | VTR-151M/SRF |
| 成膜方向 | デポアップ |
| スパッタ源 | 2インチ、3元、マグネトロンカソード |
| 基板サイズ | Φ2インチ（Φ50.8mm）× t1mm |
| 基板加熱温度 | Max350℃ |
| 膜厚分布 | Φ25mm領域±10%以内（SiO₂） |
| 到達圧力 | 6.6 × 10⁻⁴ Pa |
| 排気系 | ターボ分子ポンプ + 油回転ポンプ |
| 操作系 | 手動操作 |
情報提供元: 株式会社アルバック
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