赤外線ランプ加熱装置
RTP-6

アドバンス理工

低コストで80℃/sの高速アニールが可能

特長

● 本装置は、放物面反射赤外線ランプにより、4-6インチサイズのウエハを均一に加熱することを目的とした赤外線ランプ装置です。高速熱処理が可能で、熱処理プロセスの研究・開発用装置として手軽にご利用いただけます。

型式	RTP-6
温度範囲	RT ～ 1100℃
試料寸法	標準 Φ6インチウエハ　1枚（Φ4インチまたは、Φ5インチ用はオプション）
雰囲気	ガス中、ガスフロー中、大気中、真空中（真空排気装置はオプション）
加熱方式	放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式（下部方向加熱方式も可能）
最大加熱速度	80℃ /sec
均熱精度	⊿t＝10℃　at 800℃ hold　N₂中
制御センサ	標準　熱電対　JIS”K”（SiCコート付カーボンサセプタに挿入方式）、パイロメータ（オプション）

情報提供元: アドバンス理工株式会社

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