赤外線ランプアニール装置
RTAシリーズ
アドバンス理工
目標温度まで10秒！
特長
● 赤外線ランプ加熱（高エネルギー密度、近赤外線、高熱応答性、温度制御性、真空によるクリーン加熱）に自信があります。２インチ（50mm）から12インチ（300mm）のウェハに対応できるラインナップです。 ご要望の熱処理レシピ（加熱・冷却）と雰囲気（真空およびガス中）、RTAシリーズでお客様のニーズにお応えします。
● 用途
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- イオン注入後の活性化アニール
- 酸化膜生成アニール
- オーミック電極のアロイング
- PZT、SBT等強誘導体薄膜の結晶化アニール
- Siウエハのドナーキラー処理
- シリサイド形成、サリサイド形成
- 発光素子、半導体レーザ用基板の熱処理
- 極浅接合形成
- 強誘電体キャパシタの成膜
- ゲート酸化膜形成
主な仕様
| 型式 | 試料寸法 | 温度範囲 | 最大昇温速度 | 雰囲気 |
| RTA-2000 | Φ2インチ×1枚 | RT ～ 1000℃ | 100℃ /s | 大気中 真空中 ガス中 ガスフロー中 |
| RTA-4000 | Φ3 ～ 4インチ×1枚 | 200℃ /s | ||
| RTA-6000 | Φ4 ～ 6インチ×1枚 | 200℃ /s | ||
| RTA-8000 | Φ6 ～ 8インチ×1枚 | 200℃ /s | ||
| RTA-12000 | 300mm×1枚 | 100℃ /s |
メーカー製品URL:
https://advance-riko.com/products/rta/
情報提供元: アドバンス理工株式会社
・本ページに記載されている内容は抜粋情報となっております。詳細はメーカーHP、製品カタログ等をご参照ください。
また、製品・仕様は予告なく変更、製造中止となることがあります。
・当社営業エリア内の対応とさせていただきます。またエリア内であっても対応できない場合がございます。